摘要:純水在電子工業主要是電子元器件生產中的重要作用日益突出,純水水質已成為影響電子元器件產品質量、生產成品率及生產成本的重要因素之一,水質要求也越來越高。在電子元器件生產中,高純水主要用作清洗用水及用來配制各種溶液、漿料,不同的電子元器件生產中純水的用途及對水質的要求也不同。
項目單位 | 電阻率 MΩ·cm (25t) | 細菌 個/ml | 微粒 個/ml | TOC mg/L | Na+ μg/L | K+ μg/L | Cu μg/L | Fe μg/L | Zn μg/L |
黑白顯像管 彩色顯像管 液晶顯示器 | ≥5 ≥5 ≥5 | ≤5 ≤1 ≤1 | ≤10(Φ>0.5μ) ≤10(Φ>1μ) ≤10(Φ>1μ) | ≤0.5 ≤0.5 ≤1 | ≤10 ≤10 ≤10 | ≤10 ≤10 ≤10 | ≤8 ≤10 ≤10 | ≤10 ≤10 ≤10 | ≤10 ≤10 ≤10 |
在晶體管、集成電路生產中,純水主要用于清洗硅片,另有少量用于藥液配制,硅片氧化的水汽源,部分設備的冷卻水,配制電鍍液等。集成電路生產過程中的80%的工序需要使用高純水清洗硅片,水質的好壞與集成電路的產品質量及生產成品率關系很大。水中的堿金屬(K、Na等)會使絕緣膜耐壓不良,重金屬(Au、Ag、Cu等)會使PN結耐壓降低,Ⅲ族元素(B、Al、Ga等)會使N型半導體特性惡化,Ⅴ族元素(P、As、Sb等)會使P型半導體特性惡化[2],水中細菌高溫碳化后的磷(約占灰分的20-50%)會使P型硅片上的局部區域變為N型硅而導致器件性能變壞[3],水中的顆粒(包括細菌)如吸附在硅片表面,就會引起電路短路或特性變差。集成電路生產對純水水質的要求見表2。
集成電路(DRAM)集成度 | 16K | 64K | 256K | 1M | 4M | 16M | |
相鄰線距(μm) | 4 | 2.2 | 1.8 | 1.2 | 0.8 | 0.5 | |
微粒 | 直徑(μm) | 0.4 | 0.2 | 0.2 | 0.1 | 0.08 | 0.05 |
個數(PCS/ml) | <100 | <100 | <20 | <20 | <10 | <10 | |
細菌(CFU/100ML) | <100 | <50 | <10 | <5 | <1 | <0.5 | |
電阻率(μs/cm,25℃) | >16 | >17 | >17.5 | >18 | >18 | >18.2 | |
TOC(ppb) | <1000 | <500 | <100 | <50 | <30 | <10 | |
DO(ppb) | <500 | <200 | <100 | <80 | <50 | <10 | |
Na+(ppb) | <1 | <1 | <0.8 | <0.5 | <0.1 | <0.1 |
二、膜技術在純水制造中的應用
純水制造中應用的膜技術主要有電滲析(ED)、反滲透(RO)、納濾(NF)、超濾(UF)、微濾(MF),其工作原理、作用等見表3。
膜組件名稱 | ED | RO | NF | UF | MF |
微孔孔徑 | | 5-50埃 | 15-85埃 | 50-1000埃(1μm) | 0.03-100μm |
工作原理 | 離子選擇透過性 | 1.優先吸附-毛細管理論 2.氫鏈理論 3.擴散理論 | 同左 | 濾膜篩濾作用 | 同左 |
作用 | 去除無機鹽離子 | 去除無機鹽離子,以及有機物、微生物、膠體、熱源、病毒等 | 去除二價、三價離子,M>100的有機物,以及微生物、膠體、熱源、病毒等 | 去除懸濁物、膠體以及M>6000的有機物 | 去除懸濁物 |
組件形式 | 膜堆式 | 大多為卷式,少量為中空纖維 | 同左 | 大多為中空纖維,少量為卷式 | 摺迭濾筒式 |
工作壓力(Mpa) | 0.03-0.3 | 1-4 | 0.5-1.5 | 0.1-0.5 | 0.05-0.5 |
水回收率(%) | 50-80 | 50-75 | 50-85 | 90-95 | 100 |
使用壽命(年) | 3-8 | 3-5 | 3-5 | 3-5 | 3-6個月 |
水站位置 | 除鹽工序 | 除鹽工序 | 1.除鹽工序 2.RO前的軟化 | 大多為純水站終端精處理,少數為RO前的預處理 | 1.RO、NF、UF前的保安過濾(3-10μm) 2.離子交換后濾除樹脂碎片(1μm) 3.UV后濾除細菌死體(0.2或 0.45μm) 4.純水站終端過濾(0.03-0.45μm) |
與傳統的水處理技術相比,膜技術具有工藝簡單、操作方便、易于自動控制、能耗小、無污染、去除雜質效率高、運行成本低等優點,特別是幾種膜技術的配合使用,再輔之以其他水處理工藝,如石英砂過濾、活性炭吸附、脫氣、離子交換、UV殺菌等,為去除水中的各種雜質,滿足日益發展的電子工業對高純水的需要,提供了有效而可靠的手段,而且也只有應用了多種膜技術,才能生產出合格、穩定的高純水,才能生產出大規模、超大規模、甚大規模集成電路(LSI、VLSI、ULSI),從而使計算機、雷達、通訊、自動控制等現代電子工業的發展和應用得以實現。值得一提的是:當原水的含鹽量大于400mg/L時,純水制造的除鹽工序采用RO-離子交換工藝后,比早先單用離子交換可節約酸、堿90%左右,使離子交換柱的周期產水量提高10倍左右[7],事實證明,可以降低純水制造的運行費用和制水成本,可以減少工人的勞動強度,可以減少對環境的污染,并可使純水水質得到提高并長期穩定。據統計,在我國電子工業引進的純水制造系統中,有RO的約占系統總數的90%,有UF的約占20%,有MF的幾乎為100%[8],而ED在我國國產的純水系統特別是早期投產的純水系統,以及為數眾多的對純水水質要求不高的一般電子元器件(如電阻、電容、黑白顯像管、電子管等)制造廠的純水系統中占有相當的比例。
三、微電子工廠純水站使用膜技術實況
現以某微電子工廠中的某一純水站使用膜技術的實況,說明膜技術在電子工業純水制造中的應用。其純水制造系統工藝流程見圖1。
1.前級UF
前級UF是用于去除水中的懸濁物、膠體及有機物,降低水的SDI值,確保RO的安全運行。前級UF有5組,每組45根組件,共225根組件,進水280m3/h,透過水250 m3/h,濃縮水排放,回收率約90%。UF組件為美國Romicon公司生產,型號HF-BZ-20-PM80,組件直徑5in,長43in,內壓式中空纖維膜,纖維直徑20mil(0.51mm),共有2940根纖維,膜面積132ft2,膜材料為PS(聚砜),截留分子量8萬。UF前采用5μm保安過濾器。
2.一級RO
水中加入還原劑Na2SO3(加藥量為水中余氯值的1.8倍)以防止余氯氧化腐蝕RO膜,加入防垢劑(NaPO3)6(加藥量為5ppm)以防止CaCO3、CaSO4等在RO膜上結垢,再經5μm 保安過濾器后由高壓泵打進一級RO。一級RO有4組,均為二段。其中三組為每組8根膜容器,呈(5+3)排列,第4組為11根膜容器,呈(8+3)排列,膜容器由FRP(玻璃鋼)制成,每根內裝6個RO元件,總共為210個RO元件,進水250m3/h,透過水188m3/h,濃縮水排放,回收率為75%,脫鹽率>90%(初始脫鹽率>99%),操作壓力1.55Mpa。RO元件為美國HYDRANAUTICS(海德能)公司生產,型號CPA3。元件直徑8in,長40in,卷式膜,膜面積400ft2,膜材料為芳香聚酰胺復合膜,元件脫鹽率≥99.5%。
3.二級RO
一級RO水箱出水中一部分進入A系統,先加NaOH(CP級)調節pH為8.2-8.6,使水中CO2生成HCO3-,被二級RO除去,以減輕混床離子交換的負擔,采用二級RO可以使混床再生周期延長一倍,減少再生酸堿耗量,并可進一步去除TOC和膠體物質。二級RO前采用3μm保安過濾器,二級RO為一組三段,共10根膜容器,按(6+3+1)排列,每根容器內裝6只RO元件,共60只RO元件,進水70m3/h,出水62m3/h,濃水排至超濾水箱,回收率為90%,脫鹽率>70%(初始脫鹽率>80%),RO元件的生產廠、型號與一級RO相同。
4.后級UF
后級UF是用于去除水中的微粒、微生物、膠體、有機物等的終端過濾設備。
A系統后級UF為3組,每組18支,共54支組件,進水92 m3/h,出水90 m3/h,濃水排至一級RO水箱,回收率約98%。UF組件為美國Romicon公司生產,型號HF-132-20-PM10,組件直徑5in,長43in,內壓式中空纖維膜,纖維直徑20mil(0.51mm),共有2940根纖維,膜面積132ft2,膜材料為PS(聚砜),截留分子量1萬。
B系統后級UF為8組,每組9支,共72支組件,進水168 m3/h,出水164 m3/h,回收率約98%,UF組件制造廠及型號與A系統后級UF相同。
C系統后級UF有3支組件,進水4 m3/h,出水3.9 m3/h,回收率約98%,UF元件為美國HYDRANAUTICS公司生產,型號4040-FTV-2120,組件直徑3.94in,長40in,卷式膜,膜面積55ft2,膜材料為聚烯烴,截留分子量5萬。
5.微濾
本系統的微濾可分為三類,*類為前級UF、RO前的保安過濾器,用于去除水中的懸濁物微粒,降低水的SDI值,濾芯為PP(聚丙烯)膜摺迭式濾芯,孔徑為5μm或3μm。第二類在離子交換后,用于濾除離子交換樹脂碎片,濾芯為PP膜摺迭式濾芯,孔徑為1μm。第三類在UV殺菌器后,用于濾除微生物尸體,濾芯為N-6(尼龍6)膜摺迭式濾芯,孔徑為0.45μm或0.2μm。以上濾芯均為核工業部第八研究所生產。
除上述水站外,該廠還有另幾套高純水制造系統,RO除使用復合膜元件外,還有使用CA醋酸纖維素膜元件。
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